工艺介绍

光刻加工是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构，再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。美明电子目前掌握电子束光刻，步进式光刻，接触式光刻等多种光刻技术。

技术应用

光刻技术主要应用于半导体器件，集成电路制造过程中。

应用材料

硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等

工艺能力

电子束光刻（EBL）：最小线宽50nm，精度可达10%。

步进式光刻：stepper i7/i10/i12，最小线宽350nm，曝光误差±0.1um。

接触，接近式光刻：MA6/BA6光刻机，最小线宽1um，曝光误差±0.5um。

紫外光刻、无掩膜光刻、双面光刻、对准套刻尺寸：8＇6＇4＇2＇以及不规则小片