TSV技术(穿透硅通孔技术),一般简称硅通孔技术,是三维集成电路中堆叠芯片实现互联的一种新的技术解决方案。TSV能够事芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。美明电子目前掌握TSV最新技术,能够帮客户完成TSV个性化要求。
工艺介绍
TSV技术(穿透硅通孔技术),一般简称硅通孔技术,是三维集成电路中堆叠芯片实现互联的一种新的技术解决方案。TSV能够事芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。美明电子目前掌握TSV最新技术,能够帮客户完成TSV个性化要求。
技术应用
TSV技术作为微电子制造最具前途的技术之一,目前已经广泛应用于MEMS器件,存储器,图像传感器,功率放大器,生物应用设备和多种手机芯片。
工艺能力
通孔直径:20-30um
深宽比:10:1
通孔材料:铜,金
通孔状态:实心孔,空心孔。